Fluorescence des rayons X en réflexion totale (TXRF)

Fluorescence des rayons X en réflexion totale (TXRF)La fluorescence des rayons X en réflexion totale (TXRF) utilise une excitation rayons X à angle extrêmement bas exercée sur la surface polie d'un Fluorescence des rayons X en réflexion totale (TXRF) - EAG Franceéchantillon. L'angle incident du faisceau de rayons X (en règle générale, 0,05°) est en dessous de l'angle critique pour le substrat et limite l'excitation aux couches de surface les plus extérieures de l'échantillon. Les photons de fluorescence émis par les atomes en surface sont caractéristiques des éléments présents.

Technique très sensible à la surface, l'analyse est optimisée pour analyser la contamination des surfaces métalliques sur les wafers (substrats) de semi-conducteurs.

 

 

 

  • Contamination des surfaces métalliques sur les wafers de semi-conducteurs

Signal détecté : rayons X fluorescents à partir de la surface du wafer

Éléments détectés : S-U

Seuils de détection : 109 - 1012 à/cm2

Résolution en profondeur : 30 - 80 Angstrom (profondeur d'échantillonnage)

Imagerie/cartographie : facultatif

Résolution en profondeur/taille de la sonde : ~10 mm

  • Analyse des éléments trace
  • Analyse par sondage
  • Analyse quantitative
  • Sans effets destructeurs
  • Analyse automatisée
  • Analyse de wafers (substrats) entiers (jusqu'à 300 mm)
  • Ne peut détecter des éléments à faible numéro atomique Z (Li, Na, Al)
  • Nécessité d’avoir une surface polie pour obtenir les meilleurs seuils de détection
  • Semi-conducteurs
  • Télécommunications
  • Semi-conducteurs composés
  • Photovoltaïque solaire
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