Microscopie électronique en transmission (TEM) et Microscopie électronique en transmission à balayage (STEM)

Microscopie électronique en transmission (TEM) et Microscopie électronique en transmission à balayage (STEM)La microscopie électronique en transmission (TEM) et la microscopie électronique en transmission à balayage (STEM) sont des techniques étroitement liées qui peuvent utiliser un faisceau d'électrons pour mettre un échantillon en image. Les électrons à haute énergie, qui tombent de manière incidente sur des échantillons ultra minces, permettent des résolutions d'image qui sont de l'ordre de 1-2Å. Par rapport à la SEM, la TEM et la STEM ont une meilleure résolution spatiale et sont capables de faire des mesures analytiques supplémentaires, mais exigent nettement plus de préparation des échantillons.

Bien que les analyses TEM et STEM prennent plus de temps que beaucoup d'autres outils analytiques, le poids des inMicroscopie électronique en transmission (TEM) et Microscopie électronique en transmission à balayage (STEM) - EAG Franceformations qu'elles mettent à notre disposition est impressionnant. Non seulement on peut obtenir une excellente résolution de l'image, mais il est aussi possible de caractériser une phase cristallographique, une orientation cristallographique (par des expériences en mode diffraction), de produire des cartographies élémentaires (en utilisant l’EDS ou l’EELS) et d'obtenir des images qui mettent en relief le contraste élémentaire (mode champ sombre). Tout ceci peut être fait à partir de zones de la taille du nm, qui peuvent être localisées avec précision. La STEM et la TEM sont les outils d’analyse les plus achevés pour les échantillons à couche mince et les échantillons de circuits intégrés.

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  • Identification de défauts de la taille du nm sur les circuits intégrés, y comprit les particules incorporées et les résidus en bas des trous d’interconnexion (vias).
  • Détermination de phases cristallographiques comme fonction de distance à partir d'une interface.
  • Caractérisation des nanoparticules : investigations noyau/enveloppe, agglomération, effets du durcissement…
  • Couverture du support du catalyseur
  • Cartographies élémentaires de zones ultra-petites
  • Caractérisation des super-réseaux III-V
  • Caractérisation des défauts du cristal

Signal détecté : électrons transmis, électrons diffusés, électrons secondaires, rayons X

Éléments détectés : B-U (EDS)

Seuils de détection : 0.1-1à%

Imagerie/cartographie : Oui (EDS, EELS)

Résolution latérale ultime : <0,2 nm

  • La résolution ultime de la cartographie élémentaire d'une technique analytique
  • Résolution des images sous 0.2nm (2Å)
  • Informations cristallographiques sur de petites zones
  • Temps de préparation important des échantillons
  • Il est fréquent de préparer des échantillons qui sont
  • Certains matériaux manquent de stabilité sous le faisceau d'électrons
  • Semi-conducteurs composés
  • Circuits intégrés
  • Supports magnétiques
  • Nanomatériaux
  • MEMS
  • Optoélectronique
  • Semi-conducteurs
  • Métaux
  • Composites
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