Spectrométrie de masse à ionisation secondaire, analyse SIMS

Spectrométrie de masse à ionisation secondaire, analyse SIMSLa Spectrométrie de masse à ionisation secondaire (SIMS, abréviation de l’anglais « Secondary Ion Mass Spectrometry ») détecte de très faibles concentrations de dopants et d’impuretés. Elle peut donner des profils de profondeur élémentaires couvrant une gamme étendue, allant de quelques angströms (Å) à des dizaines de microns (µm). L'échantillon qui nous intéresse est pulvérisé/gravé avec un faisceau d'ions primaires (O ou Cs d'habitude). Les ions secondaires formés au cours du processus sont extraits et analysés avec un spectromètre de masse (habituellement, appareil quadripolaire ou secteur magnétique). Les ions secondaires peuvent couvrir des niveaux de concentration allant du niveau de matrice et descendant jusqu'aux niveaux des traces sous ppm.

Spectrométrie de masse à ionisation secondaire, analyse SIMS - EAG FranceEvans Analytical Group® (EAG) est la référence dans le métier en matière d'analyse commerciale SIMS, puisqu'elle offre les meilleurs seuils de détection, assortis d'une concentration exacte et de l'identification de la structure des couches. Chez EAG, l’expérience étendue et approfondie que nous avons dans le domaine de la SIMS est inégalée, tout comme les efforts de recherche et de développement que nous y consacrons : nous avons le plus grand nombre d'instruments SIMS du monde entier (40), que font fonctionner des scientifiques très qualifiés. EAG a aussi la plus grande bibliothèque de matériaux de référence du monde en ce qui concerne les normes relatives à l’implantation d’ions et au dopage dans les densités globales (bulk-doping) pour pouvoir faire une quantification SIMS exacte.

Les analystes d’EAG sont partisans d'une approche consistant à comprendre les besoins de nos clients et à concevoir des analyses pertinentes pour traiter le plus effectivement possible leurs préoccupations et leurs intérêts. Chez EAG, nous utilisons régulièrement l'analyse SIMS pour aider nos clients, qui appartiennent à un grand éventail de secteurs industriels, à faire de la R&D, du contrôle qualité, à résoudre des problèmes et à faire le suivi des processus. Grâce au service de personne à personne que nous vous donnons, chez EAG, tout au long du processus, vous pouvez avoir une compréhension complète des résultats des tests.

SIMSview™ d’EAG: le logiciel de traitement de données SIMS

  • Profilage en profondeur des dopants et des impuretés
  • Mesure de la composition et des impuretés dans les couches minces (métaux, diélectrique et matériaux SiGe, III-V, and II-V).
  • Profilage ultra-haut de la résolution en profondeur des implants mous et des couches ultra mince (implants ULE et oxydes de grille)
  • Analyse des densités globales, dont B, C, O, et N dans Si
  • Comparaison de haute précision des outils de processus, comme les implantateurs ioniques

Signal détecté : ions secondaires

Éléments détectés : H-U y compris isotopes

Seuils de détection : >1010-1016à/cm3

Résolution en profondeur : >5Å

Imagerie/cartographie : Oui

Résolution en profondeur/taille de la sonde : >=10µm (profilage en profondeur) ; 1µm (mode imagerie)

  • Excellente sensibilité de détection pour les dopants et les impuretés, avec une sensibilité d’une partie par million, et moins
  • Profil de profondeur avec d'excellents seuils de détection et une excellente résolution en profondeur
  • Analyse de petites zones (10µm au moins)
  • Détection de tous les éléments et des isotopes, dont H
  • Excellente gamme dynamique (jusqu'à 6 ordres d'amplitude)
  • Stoichiométrie/composition possible, dans certaines applications
  • Effets destructeurs
  • Pas d'informations sur les liaisons chimiques
  • Spécifique à chaque élément
  • L'échantillon doit être solide et compatible avec le vide
  • Semi-conducteurs
  • Aérospatiale
  • Automobile
  • Semi-conducteurs composés
  • Stockage de données
  • Défense
  • Écrans d’affichage
  • Électronique
  • Éclairage
  • Photonique
  • Photovoltaïque/solaire
  • Télécommunications
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