RBS

La spectrométrie de rétrodiffusion de Rutherford, analyse RBS

La spectrométrie de rétrodiffusion de Rutherford, analyse RBSLa spectrométrie de rétrodiffusion de Rutherford (RBS, abréviation de l’anglais « Rutherford Backscattering Spectrometry ») est une technique de diffusion d’ions servant à l'analyse compositionnelle des couches. L'analyse RBS est unique en ceci qu'elle permet la quantification sans utiliser de normes de référence. Au cours d'une analyse RBS, les ions (MeV) He2+ à haute énergie (c'est-à-dire, les particules alpha) sont dirigés sur l'échantillon et l'on mesure la distribution de l'énergie et le rendement des ions He2+ rétrodiffusés à un angle donné. Comme la section transversale de rétrodiffusion de chaque élément est connue, il est possible d'obtenir un profilage en profondeur compositionnel quantitatif du spectre RBS obtenu, pour des couches qui ont moins d’1μm d'épaisseur.

Evans Analytical Group® (EAG) a une expérience de classe mondiale dans La spectrométrie de rétrodiffusion de Rutherford, analyse RBS - EAG Francel'analyse des couches fines en recourant à l’analyse RBS, avec une instrumentation à la fois pelletron et tandetron. L'expérience d’EAG dans l'analyse tous les types de couches fines de semi-conducteurs (les oxydes, les nitrures, les siliciures, les diélectriques à constante K élevée et basse, les couches métalliques, les semi-conducteurs composés et les dopants) vous permet d'avoir des délais de production rapide, des données exactes et un service de personne à personne de grande qualité.

Spectrométrie de diffusion avant de l'hydrogène (HFS)

Analyse par réaction nucléaire (NRA)

 

 

 

 

  • Composition/épaisseur des couches fines
  • Déterminer les concentrations de zone (atomes/cm2)
  • Déterminer la densité des couches (quand l'épaisseur est connue)

Signal détecté : atomes He rétrodiffusés

Éléments détectés : B-U

Seuils de détection : 0.001-10à%

Résolution en profondeur : 50-200Å

Imagerie/cartographie : Non

Résolution en profondeur/taille de la sonde : >=2mm

  • Analyse compositionnelle sans effets destructeurs
  • Analyse quantitative sans normes
  • Analyse de wafers (substrats) entiers (jusqu'à 300 mm) ainsi que d'échantillons irréguliers et grands
  • Analyse des conducteurs et des isolants
  • Mesure de l'hydrogène (en mode HFS)
  • Sensibilité des éléments à faible numéro atomique Z (en mode NRA)
  • Zone d’analyse : grande (~2mm)
  • Informations utiles limitées au premier ~1μm des échantillons
  • Aérospatiale
  • Défense
  • Écrans d’affichage
  • Semi-conducteurs
  • Télécommunications
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