Profilométrie optique (OP)

Profilométrie optique (OP)La profilométrie optique est une méthode à interférométrie sans contact servant à caractériser la topographie des surfaces. Une analyse OP classique donne des images en 2D et en 3D d'une surface, de nombreuses statistiques de rugosité et les dimensions des éléments. Outre ces mesures standard, le groupe Evans Analytical Group® (EAG) peut aussi exécuter beaucoup d'analyses OP avancées avec un microscope optique Bruker Contour GTX-8 3D au dernier état de l’art. Elles recouvrent :

  • L'automatisation de l'analyse de mesures à haut rendement de plusieurs centaines d'éléments sur un seul échantillon, comme les wafers striés ou à motifs ou encore les structures issues de moulage
  • L'instrument peut servir à déterminer l'épaisseur de couches continues et transparentes.

Profilométrie optique (OP)Elle convient à beaucoup d'application et à beaucoup de type d’échantillons car elle peut accepter de nombreuses géométries d'échantillons, proposant un large éventail de dimensions possibles d'analyses et une fourchette de numéro atomique Z polyvalente, couvrant un large éventail de rugosités potentielles des surfaces. Chez EAG, nous tenons beaucoup à travailler avec nos clients à développer des approches uniques pour caractériser les topographies des échantillons, mêmes les plus difficiles.

  • Hauteur des marches atomiques et mesure dimensionnelle
  • Caractérisation de l'usure et du frottement des pièces mécaniques
  • Déterminer l'uniformité des bosses de soudure, par exemple, sur les puces retournées (« flip chips ») et sur d'autres emballages avancés
  • Corréler les mesures de rugosité avec les propriétés des matériaux, par ex. l'adhérence, la corrosion, l'apparence Mesurer le rayon de courbure des canaux microfluidiques, des produits optiques, etc.
  • Évaluer l'inclinaison des wafers couverts d'un revêtement/traités, par exemple, la fabrication de MEMS
  • Quantifier l'épaisseur des couches continues de SiO2 (à savoir, aucune étape physique n’est nécessaire)
  • Filtrage à haut rendement de caractéristiques multiples sur un moule ou sur un wafer

Résolution latérale : 0.5μm (le mieux)

Résolution en hauteur : 0.2nm (PSI) ou 0.2mm (VSI)

Hauteur maximale de l'élément : 10 mm

Taille maximale de l'élément : 0.06×0.047 mm2

Taille maximale de l'image l’image : 2.2×1.1mm2 (image unique); 70x70mm2 (assemblage d’images)

Taille maximale de l’échantillon : 300mm diamètre, 100 livres poids, 4pouces /100 mm hauteur

Épaisseur des couches : épaisseur de 150µm à 2µm

  • Large éventail de possibilités de zones d'analyse, de hauteur d'éléments et de rugosités
  • Accepte des tailles d'échantillons très grandes et très petites
  • Sans effets destructeurs/sans contact Rapide
  • Possibilité d’effet optique artificiel sur certains types d'échantillons
  • Faible détection de signal pour les surfaces très raides et très rugueuses
  • Les couches doivent être transparentes et avoir un indice de réfraction connu pour pouvoir mesurer l'épaisseur des couches
  • Équipements à semi-conducteurs
  • Fabrication de semi-conducteurs
  • Transport : ferroviaire, aviation, automobile etc.
  • Revêtements Énergies alternatives : solaire, éolienne, etc.
  • Matériaux avancés Électronique/microélectronique
  • Appareils médicaux, implants
  • Matériel médical/de diagnostic
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