Diffraction des électrons radiodiffusés, analyse EBSD

Diffraction des électrons radiodiffusés, analyse EBSDLa diffraction des électrons radiodiffusés (ou EBSD, abréviation de l’anglais « Electron Backscatter Diffraction ») est une technique qui convient exceptionnellement à la caractérisation des propriétés cristallographiques de vos échantillons. Les propriétés comme la taille du grain, l’orientation des grains, leur mauvaise orientation, leur déformation, leur texture et le ratio d'aspect des grains peuvent toutes être caractérisées par cette technique.

L'analyse EBSD est un hommage aux excellentes capacités de nos services XRD. Bien que nos outils XRD et notre personnel XRD puissent donner des informations inégalées sur l’ID de la phase, la taille du grain nanocristallin, l'épaisseur des couches minces et les textures, les nouvelles capacités dont on dispose grâce à l’EBSD donnera une description plus complète de vos échantillons cristallins.

Vous trouverez ci-dessous quelques exemples de données acquises dans un échantillon Al à couches minces et d'acier inoxydable (déformé) travaillé à froid.

Analyse EBSD : Carte unique de grains d'aluminium

Carte unique de grains d'aluminium - EBSD - EAG France

Figure 1 : Carte unique de grains d'aluminium
(Les couleurs de cette carte ne servent qu'à visualiser les grains individuels)

Carte d'inversion des pôles montrant l'orientation des grains individuels -EBSD - EAG FranceCarte d'inversion des pôles montrant l'orientation des grains individuels -EBSD - EAG France

Figure 2 : Carte d'inversion des pôles montrant l'orientation des grains individuels (texture)

EBSD - EAG France

Figure 3 : Schéma des pôles montrant une représentation alternative de la texture échantillon/de l'alignement des grains pris pour échantillon

EBSD - EAG France

Figure 4 : Carte d'inversion des pôles de l'acier inoxydable travaillé à froid.

EBSD - EAG France

Figure 5 : Carte de déformation du même endroit, mesuré sous forme de mauvaise orientation locale.

  • Caractérisation des procédés de recuit
  • Caractérisation de la texture dans des zones localisées, comme près des soudures ou les points de soudure des semi-conducteurs
  • Caractérisation de la taille du grain de la texture du grain portant sur la qualité du fini de la tôle d'acier et de l’Al.
  • Mesure des grains larges, sans l’erreur associée au LM
  • Caractérisation des frontières spéciales des grains, comme la théorie CSL et les jumeaux
  • Mesure de la mauvaise orientation des grains
  • Caractérisation de la déformation par l'examen de la mauvaise orientation des grains et du ratio d'aspect des grains
  • Caractérisation des couches minces à croissance épitaxiale
  • Caractérisation de la texture en profondeur par un examen des sections transversales

Signal détecté : électrons diffractés

Éléments détectés : tous les éléments, en partant du principe qu’ils sont présents dans une matrice cristalline.

Seuils de détection : taille de grain >80nm

Analyse quantitative : taille de grain et mesures apparentées : ~10%

  • Mesure directe de la taille des grains
  • Peut caractériser de manière unique les angles de frontière des grains individuels
  • Peut donner la distribution en phase de certains matériaux
  • Peut faire la cartographie de la taille des grains allant de 10èmes de nm des 100èmes de um
  • Ne peut mesurer les matériaux amorphes
  • Capacité modérée de différencier des phases différentes
  • Aérospatiale
  • Automobile
  • Implants médicaux
  • Stockage de données
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