Les dopants sont des éléments délibérément ajoutés aux matériaux semi-conducteurs pour contrôler les caractéristiques électriques du matériau. Les concentrations sont classiquement dans la fourchette atomique % basse, en descendant à l’unité de la partie par million (ppm). La concentration et la distribution des dopants sont des caractéristiques essentielles pour déterminer la performance électrique. Les techniques analytiques servent souvent à comparer le profil des dopants dans un matériau retenu avec la performance électrique mesurée.

Dose des implants

Dose des implants

La spectrométrie de masse à ionisation secondaire (SIMS) et la spectrométrie à émission rayons X à basse énergie (LEXES) peuvent servir à déterminer la dose des implants, et à comparer précisément les doses entre substrats (wafers). La méthode LEXES peut aussi servir à cartographier la dose implantée dans les wafers jusqu’à une taille de 300 mm.

Profils des implants

Profils des implants

La SIMS peut servir à caractériser la forme du profil des implants ioniques et des contaminants. Si le dopant est électriquement actif, on peut se servir de la méthode Spreading Resistance Profiling (SRP).

Profils ULE

La LEXES, la SIMS et la spectrométrie photo-électronique par rayons X (XPS) peuvent servir à quantifier la concentration en dopants dans des implants creux très dosés.

Couches

La SIMS peut servir à faire des mesures exactes de la concentration des dopants comme fonction de la profondeur dans le silicium, les semi-conducteurs composés, les matériaux photovoltaïques et les LED.

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